Hynix Inc. объявила о выпуске первой в мире памяти DDR5 DRAM. Это высокоскоростной и высокоплотный продукт, оптимизированный для больших данных, искусственного интеллекта (AI) и машинного обучения (ML) в качестве стандарта DRAM нового поколения.
С тех пор, как SK hynix объявила о разработке первой в мире 16 (Гб) памяти DDR5 DRAM в ноябре 2018 года, компания предоставила своим основным партнерам, включая Intel, образцы продукции, а также завершила различные тесты и проверки ее функций и совместимости. Это позволит SK hynix предоставлять своим клиентам продукты, как только рынок DDR5 станет активным.
Тем временем SK hynix провела совместные лабораторные работы на месте, тестирование на уровне системы и моделирование с производителями систем на кристалле (SoC) для проверки функций DDR5. Кроме того, Компания проверила совместимость своей DDR5 и основных компонентов модуля DRAM, включая драйвер тактовой частоты регистров (RCD), которые влияют на производительность DRAM, и интегральную схему управления питанием (PMIC). Благодаря этим проверкам SK hynix тесно сотрудничает со своими глобальными партнерами.
DDR5 от SK hynix поддерживает скорость передачи 4800 ~ 5600 мегабит в секунду (Мбит / с), что в 1,8 раза быстрее, чем у предыдущего поколения - DDR4. Он может передавать 9 фильмов в формате Full-HD (FHD) (5 ГБ каждый) в секунду со скоростью передачи 5600 Мбит / с. Его рабочее напряжение составляет 1,1 В, что ниже 1,2 В для DDR4, что означает снижение энергопотребления на 20%.
Еще одна примечательная спецификация DDR5 компании - это код исправления ошибок (ECC) внутри микросхемы, который может самостоятельно исправлять даже однобитовые ошибки. Благодаря ECC надежность приложений повысится в 20 раз. DDR5 компании также может увеличить емкость до 256 гигабайт (ГБ), используя технологию сквозного кремния (TSV).
Компания ожидает, что эти экологически чистые полупроводниковые запоминающие устройства снизят как энергопотребление, так и эксплуатационные расходы центров обработки данных, поскольку DDR5 потребляет меньше энергии и значительно повышает ее надежность.
«Intel тесно сотрудничала с лидерами в области памяти, включая SK hynix, при разработке спецификации DDR5, начиная с ранних концепций архитектуры за счет стандартизации JEDEC», - прокомментировала Кэролин Дюран, вице-президент Intel Data Platforms Group и генеральный директор по технологиям памяти и ввода-вывода. «Кроме того, мы работали совместно с SK hynix над разработкой микросхем, разрабатывая и тестируя прототипы, чтобы убедиться, что DDR5 соответствует поставленным целям производительности и полностью готова для наших общих клиентов».
«Поскольку SK hynix выпустила первую в мире память DDR5 DRAM, компания может возглавить будущую технологическую тенденцию на мировом рынке DRAM», - сказал Джонхун О, исполнительный вице-президент и директор по маркетингу (CMO) SK hynix. «SK hynix сосредоточится на быстрорастущем рынке серверов премиум-класса, укрепляя свои позиции в качестве ведущей компании в области серверной DRAM».
Между тем, стандарт DDR5 был опубликован JEDEC (JEDEC Solid State Technology Association) ранее, в июле 2020 года. По данным поставщика рыночной информации Omdia, спрос на DDR5 начнет расти в 2021 году, и на нее будет приходиться 10% от общего мирового рынка DRAM в 2022 г. и увеличится до 43% в 2024 г.
Synopsys, Renesas, Montage Technology и Rambus также заявили о своей приверженности продолжению сотрудничества в создании экосистемы DDR5.
«Synopsys сотрудничает с SK hynix, чтобы предоставить высоконадежные решения DDR5 для современных высокопроизводительных вычислительных систем на кристалле, требующих сверхбыстрых подсистем памяти большой емкости», - сказал Джон Кутер, старший вице-президент по маркетингу и стратегии IP в Synopsys. «Наша проверенная на кремнии технология DesignWare DDR5 / 4 IP прошла валидацию с использованием множества модулей RDIMM SK hynix DDR5 со скоростью до 6400 Мбит / с, что помогает разработчикам минимизировать риски и удовлетворить их требования к высокой производительности SoC с интенсивным использованием данных».
«Как ведущий поставщик интерфейсов памяти для каждого поколения памяти за последние двадцать лет, мы гордимся тесным взаимодействием с нашими ключевыми партнерами и клиентами. Renesas тесно сотрудничал с SK hynix, чтобы квалифицировать полный портфель продуктов DDR5 для рынков серверов, клиентов и встраиваемых систем ». Рами Сетхи - вице-президент и генеральный менеджер бизнес-подразделения центров обработки данных Renesas
«Montage Technology очень рада сотрудничеству с SK hynix в создании экосистемы памяти DDR5. Как ведущий поставщик, мы сотрудничаем с SK hynix на протяжении многих поколений DDR и стремимся предоставлять высокопроизводительные интерфейсы памяти с низким энергопотреблением. В настоящее время Montage Technology предлагает обширный портфель логических устройств DDR5 - мы рады и дальше помогать SK hynix ускорить внедрение DDR5 на рынок », - сказал Джеф Финдли, вице-президент по продажам и развитию бизнеса в Montage Technology.
«Рабочие нагрузки с интенсивным использованием вычислений в центре обработки данных ускоряют потребность в увеличении объема памяти и пропускной способности», - сказал Чиен-Синь Ли, вице-президент и генеральный менеджер по интегральным схемам в Rambus. «DDR5 DRAM отвечает на этот вызов более высокой скоростью передачи данных и новыми инновациями, которые значительно повышают производительность памяти. Использование нового поколения микросхем интерфейса памяти, модулей DDR5 RDIMM и LRDIMM раскроет вычислительную мощность серверных платформ. Мы рады сотрудничать с SK hynix, чтобы обеспечить экосистему технологий нового поколения и удовлетворить растущий спрос на DDR5 ».
Аннотации
С тех пор, как SK hynix объявила о разработке первой в мире 16 (Гб) памяти DDR5 DRAM в ноябре 2018 года, компания предоставила своим основным партнерам, включая Intel, образцы продукции, а также завершила различные тесты и проверки ее функций и совместимости. Это позволит SK hynix предоставлять своим клиентам продукты, как только рынок DDR5 станет активным.
Тем временем SK hynix провела совместные лабораторные работы на месте, тестирование на уровне системы и моделирование с производителями систем на кристалле (SoC) для проверки функций DDR5. Кроме того, Компания проверила совместимость своей DDR5 и основных компонентов модуля DRAM, включая драйвер тактовой частоты регистров (RCD), которые влияют на производительность DRAM, и интегральную схему управления питанием (PMIC). Благодаря этим проверкам SK hynix тесно сотрудничает со своими глобальными партнерами.
DDR5 от SK hynix поддерживает скорость передачи 4800 ~ 5600 мегабит в секунду (Мбит / с), что в 1,8 раза быстрее, чем у предыдущего поколения - DDR4. Он может передавать 9 фильмов в формате Full-HD (FHD) (5 ГБ каждый) в секунду со скоростью передачи 5600 Мбит / с. Его рабочее напряжение составляет 1,1 В, что ниже 1,2 В для DDR4, что означает снижение энергопотребления на 20%.
Еще одна примечательная спецификация DDR5 компании - это код исправления ошибок (ECC) внутри микросхемы, который может самостоятельно исправлять даже однобитовые ошибки. Благодаря ECC надежность приложений повысится в 20 раз. DDR5 компании также может увеличить емкость до 256 гигабайт (ГБ), используя технологию сквозного кремния (TSV).
Компания ожидает, что эти экологически чистые полупроводниковые запоминающие устройства снизят как энергопотребление, так и эксплуатационные расходы центров обработки данных, поскольку DDR5 потребляет меньше энергии и значительно повышает ее надежность.
«Intel тесно сотрудничала с лидерами в области памяти, включая SK hynix, при разработке спецификации DDR5, начиная с ранних концепций архитектуры за счет стандартизации JEDEC», - прокомментировала Кэролин Дюран, вице-президент Intel Data Platforms Group и генеральный директор по технологиям памяти и ввода-вывода. «Кроме того, мы работали совместно с SK hynix над разработкой микросхем, разрабатывая и тестируя прототипы, чтобы убедиться, что DDR5 соответствует поставленным целям производительности и полностью готова для наших общих клиентов».
Между тем, стандарт DDR5 был опубликован JEDEC (JEDEC Solid State Technology Association) ранее, в июле 2020 года. По данным поставщика рыночной информации Omdia, спрос на DDR5 начнет расти в 2021 году, и на нее будет приходиться 10% от общего мирового рынка DRAM в 2022 г. и увеличится до 43% в 2024 г.
Synopsys, Renesas, Montage Technology и Rambus также заявили о своей приверженности продолжению сотрудничества в создании экосистемы DDR5.
«Synopsys сотрудничает с SK hynix, чтобы предоставить высоконадежные решения DDR5 для современных высокопроизводительных вычислительных систем на кристалле, требующих сверхбыстрых подсистем памяти большой емкости», - сказал Джон Кутер, старший вице-президент по маркетингу и стратегии IP в Synopsys. «Наша проверенная на кремнии технология DesignWare DDR5 / 4 IP прошла валидацию с использованием множества модулей RDIMM SK hynix DDR5 со скоростью до 6400 Мбит / с, что помогает разработчикам минимизировать риски и удовлетворить их требования к высокой производительности SoC с интенсивным использованием данных».
«Как ведущий поставщик интерфейсов памяти для каждого поколения памяти за последние двадцать лет, мы гордимся тесным взаимодействием с нашими ключевыми партнерами и клиентами. Renesas тесно сотрудничал с SK hynix, чтобы квалифицировать полный портфель продуктов DDR5 для рынков серверов, клиентов и встраиваемых систем ». Рами Сетхи - вице-президент и генеральный менеджер бизнес-подразделения центров обработки данных Renesas
«Montage Technology очень рада сотрудничеству с SK hynix в создании экосистемы памяти DDR5. Как ведущий поставщик, мы сотрудничаем с SK hynix на протяжении многих поколений DDR и стремимся предоставлять высокопроизводительные интерфейсы памяти с низким энергопотреблением. В настоящее время Montage Technology предлагает обширный портфель логических устройств DDR5 - мы рады и дальше помогать SK hynix ускорить внедрение DDR5 на рынок », - сказал Джеф Финдли, вице-президент по продажам и развитию бизнеса в Montage Technology.
«Рабочие нагрузки с интенсивным использованием вычислений в центре обработки данных ускоряют потребность в увеличении объема памяти и пропускной способности», - сказал Чиен-Синь Ли, вице-президент и генеральный менеджер по интегральным схемам в Rambus. «DDR5 DRAM отвечает на этот вызов более высокой скоростью передачи данных и новыми инновациями, которые значительно повышают производительность памяти. Использование нового поколения микросхем интерфейса памяти, модулей DDR5 RDIMM и LRDIMM раскроет вычислительную мощность серверных платформ. Мы рады сотрудничать с SK hynix, чтобы обеспечить экосистему технологий нового поколения и удовлетворить растущий спрос на DDR5 ».
Аннотации
- SoC (система на кристалле) Однокристальное решение, объединяющее периферийные устройства, которые взаимодействуют с системной шиной и центральным процессором (ЦП).
- RCD (драйвертактовой частоты регистров) Активный элемент, который используется в RDIMM и LRDIMM для серверов, который обеспечивает качество сигнала между передатчиком и приемником путем усиления команд и сигналов данных, поступающих в память от контроллеров памяти.
- PMIC (Интегральная схема управления питанием) Интегральная схема, которая принимает основную входную мощность и выпрямляет, делит и контролирует ее для получения стабильного и эффективного напряжения или тока, требуемого электроникой; PMIC впервые используется в модуле DDR5 DRAM.
